化合物半導体中のプラズモンー光学フォノン相互作用とラマン散乱
1989 年 58 巻 11 号 p. 1584-1595
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1989 年 58 巻 11 号 p. 1584-1595
極性半導体中の伝導電子ガスによるプラズマ振動(プラズモン)は格子振動の縦光学モード (LOフォノン)と結合する.この結合モードはラマン散乱スペクトルに現れ,キャリア濃度などの評価に応用される.本稿においてはGaAsを中心とした二元,およびAlGaAsなどの三元のIII-V族化合物半導体におけるプラズモンとLOフォノンとの結合を,ラマン散乱分光の案験結果を基に解説する.また量子井戸およびヘテロ界面中の二次元電子ガスの場合のプラズモンーLOフォノン結合モードについても, GaAs/AIGaAs系に関する測定結果を紹介する.
