SiGe/Siヘテロ構造における格子不整合緩和機構
1989 年 58 巻 9 号 p. 1321-1326
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1989 年 58 巻 9 号 p. 1321-1326
Si1-xGexは, Si結晶とヘテロ構造を作ることにより,これまでSi単独では得られなかった興味深い電気的光学的性質を示す材料となり,現在,精力的にデバイス応用が進められている.本稿では, MBE法により形成したSi1-xGex/Siヘテロ構造における格子不整合の緩和機構について解説する.また,最近話題となっている本ヘテ回構造の臨界膜厚の問題について考察する.
