ワイドギャップHII-VI2族化合物 CuGaS2, CuAIS2, CuGaSe2およびこれらの混晶薄膜のMOVPBについて述べる.基板としてGaPおよびGaAsを用いて,これらの薄膜のエピタキシャル成長に成功した.成長の方位については,カルコパイライト型結晶格子の異方性および格子不整合によって説明することができた.さらに GaP (100) と格子整合する組成のエピタキシャル膜では,結晶性および表面モフォ目ジーが大幅に改善された.成長した膜はバンド端域の発光を含む良好なフォトルミネッセンス特性を示した.
