応用物理
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低温ドライエッチング技術
田地 新一
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1990 年 59 巻 11 号 p. 1428-1440

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抄録

Siの超高集積メモリーデバイスは, 1チップ当たりに64メガビットの集積レベルに達した.プロセスデパイス技術には,サブハーフミクロン以下の微細加工をはじめとして,ますます技術革新が必要な状況にある.低温ドライエッチングは,このような高精度化の実現に向け,新たにウエハーを低温で処理する機能を付加したプラズマエッチング技術である.本新技術では,従来から高精度化の大きな問題点と指摘されてきた微細化と処理速度のトレードオフも解決できることがわかった.本稿では,エッチングの反応機構とエッチングモデルを紹介し,低温ドライエッチングの微細加工特性について報告する.

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© 社団法人 応用物理学会
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