応用物理
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Si表面の不活性化
高萩 隆行
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1990 年 59 巻 11 号 p. 1441-1450

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抄録

著者らのグループをはじめとする数グループによる, HFエッチングSi表面に関するここ数年間の精力的な研究の展開によって,従来の予想とは反して, HFエッチングSi表面が水素終端されていることと,これによってその表面が不活性化されていることが明らかにされてきた,この結果,水素終端が, Si単結晶の清浄性の保持法として注目されるようになってきている.そこで本稿では, HFエッチング表面の水素終端表面構造とその化学反応挙動を中心に,原子状水素による再構成Si表面の水素終端や,大気中STM (走査型トンネル顕微鏡)によるSi原子像の観察,電子誘起脱水素による水素終表面の再活性化なども含めて紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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