応用物理
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Siにイオン注入されたほう素の拡散現象
三宅 雅保
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1990 年 59 巻 11 号 p. 1451-1460

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抄録

イオン注入による不純物導入プロセスを高精度に行うためには,イオン注入後の熱処理による不純物の再分布を高精度に制御することが重要である,本稿では, Siにイオン注入されたほう素の再分布を支配する重要な現象である「イオン注入損傷に基づく増速拡散」と「酸化による増速拡散」について解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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