応用物理
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Si LSIの高融点金属電極と配線
須黒 恭一中崎 靖堅田 富夫
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1990 年 59 巻 11 号 p. 1474-1478

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抄録

Si LSIの微細化に伴い,金属シリサイドより低抵抗の,タングステンのような金属を,電極や配線材料として適用する検討が広く進められている.本稿では, Wを電極・配線として用いる際に考慮せねばならない耐熱性について論じている. WはSiとの接触においてシリサイド反応が起こるため,約600°C以上の熱工程を与える場合には, TiNなどの反応障壁層が必要となる. TiNはSiの拡散に対して障壁性を示すが, TiN/Si界面にTiSi2が存在する場合には, W層へのSi拡散が起こりやすくなる.その理由は, TiSi2/Si界面のSiの結合がTiN/Si界面におけるよりも切れやすく, TiN層への遊離したSiを供給しやすいためと考えられる.

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© 社団法人 応用物理学会
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