応用物理
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微細MOSFETの低温動作
坪内 和夫益 一哉易 幼文御子柴 宣夫
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1990 年 59 巻 11 号 p. 1484-1490

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抄録

Si MOSFET集積回路は,スケーリング則を微細化の指導原理として,高速化,高集積化を実現してきたが,最小寸法がサプミクロン以下になると,素子内部の高電界効果による素子破壊や劣化,あるいは,チップの配線抵抗増大や発熱密度の増大など深刻な問題が顕在化してくる.低温動作Si MOSFET集積回路は,これら問題の解決の展望を開くものである.本論文では,低温動作MOSFETの動作電圧,基板不純物濃度などの設計指針を与える温度スケーリング則ならびに温度・寸法合成スケーリング則,さらに77K動作0.1 μmチャネルMOSFETの設計について紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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