プラズマプロセスによるSiO2/Siの照射損傷
1990 年 59 巻 11 号 p. 1496-1501
詳細
1990 年 59 巻 11 号 p. 1496-1501
プラズマプロセスで試料に入射するイオン,中性粒子,真空紫外線を分離してSiO2/Si系に照射して,発生する損傷を容量-電圧法などで評価した. SiO2への電離作用の大きいイオン,真空紫外線の照射ではフラットパンド電圧のシフトが大きく,中性粒子は数百eVの運動エネルギーをもっていても発生させるフラットバンド電圧のシフトは小さい.したがって,中性粒子ピームを用いたエッチング法は,将来の低損傷微細加工法として有望である.
