応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
ECRプラズマ励起を利用したMBE成長法 (ECR-MBE法)
名西 徳之
著者情報
ジャーナル フリー

1990 年 59 巻 12 号 p. 1629-1635

詳細
抄録

高真空中で低エネルギー高密度のイオンを発生できる特徴を持つ, ECRプラズマを利用したMBE成長法に関して,最近の研究の成果と本技術の展望について述べる.通常のMBE法では困難な基板表面のクリーニングとその基板上への連続的成長,さらに選択成長などが,プラズマ励起効果を利用することにより,低温で可能となる.これらを可能にする機構,プラズマ中のイオン・ラジカルなどの役割についても検討した結果を示す.本技術は低温・再成長技術として有望であるが,低温化の必要性が最近特に指摘されている熱膨張係数が大きく異なる材料系(例えばGaAs/Siなど)のヘテロ成長技術としても適用性が注目される.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top