GaAsの1/ƒノイズ
1990 年 59 巻 6 号 p. 763-767
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1990 年 59 巻 6 号 p. 763-767
1/ƒノイズの原因の一つとして,格子によるキャリアの散乱が考えられている.格子散乱が1/ƒノイズの原因であるかどうかを調べるには,不純物濃度が異なるサンプルについて測定を行うことが必要であるが,高純度サンプルについては,電流が流れにくいなど,測定に障害が多い. AlGaAs/GaAsヘテロ接合を用いたHEMT (高電子移動度トランジスタ)を用いれば高純度の半導体に電流を流すことができるので,不純物散乱の影響が少ない状態で発生するノイズを観測するのに適している.ここでは, GaAsの1/ƒノイズについて紹介する.
