応用物理
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イオン注入によるSiの浅いドープ層
稲田 太郎中村 徹
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1990 年 59 巻 7 号 p. 879-888

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抄録

近年,集積回路の微細化に伴い,これの構成要素である半導体電子デバイズに不可欠な不純物ドープ層を,きわめて浅く形成する必要性が急速に高まっている.本稿では,この浅い不純物ドープ層が強く要請されている背景を明らかにするとともに,このドープ層をイオン注入法によって実現する際の諸問題と,これに対処する技術について解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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