耐放射線性半導体としての立方晶炭化ケイ素
1990 年 59 巻 7 号 p. 933-936
詳細
1990 年 59 巻 7 号 p. 933-936
化学気相成長法でSi基板上にエピタキシャル成長した3C-SiC(立方晶炭化ケイ素)の放射線損傷,ならびに3C-SiCMOSトランジスタの照射効果を調べた.電子スピン共鳴,イオンチャネリング,ホール効果などの測定から,Si格子位置にある欠陥が,電気特性劣化と関係していること,および,3C-SiCの高い耐放射線性を示唆する結果を得た.
