東芝セラミックス
1990 年 59 巻 8 号 p. 1044-1050
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
シリコン結晶の磁界下引き上げは1980年に発表されて以来10年を経過した.この間種々の磁界印加方法・装置が発表された.しかしながら現在実用化されている方法はトランスバーサル磁界印加方式のみである.また用途も当初の期待ほどには拡大していない.新材料が産業に使用されるためには,コストの壁と従来プロセスへ導入した場合の変化に対する抵抗がある.この点に的を絞り磁界下の結晶成長を装置の面からわれわれの経験をもとに展望する.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら