シリサイドーシリコン界面の電子状態
1991 年 60 巻 12 号 p. 1223-1226
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1991 年 60 巻 12 号 p. 1223-1226
金属シリサイドであるNiSi2, CoSi2, YSi2はSi (111) 表面にエピタキシャル成長し,原子レベルで急峻でほぼ完全な金属半導体界面を等える.密度汎関数理論に基ついたLMTO-ASA (Linear muffin-tin orbitals in atomic sphere approximation) 法で得られたこれらの界面の電子構遣は,金属層とSi層とのボンドの組み方を反映していて,従来いわれていたようなSi固有の金属誘起準位は存在していない.また計算で得られるショットキー障壁の高さ (Ef-Ev) は,金属の種類や界面構造による障壁の差をほぼ正確に与える.
