Si中の不純物の挙動とゲッタリング
1991 年 60 巻 8 号 p. 782-789
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1991 年 60 巻 8 号 p. 782-789
SiULSI技術は,歴史上かつてない,完全性の高いSi結晶を要求している. Si結晶に含まれる不純物や結晶欠陥を制御するゲッタリング技術は, Si結晶の完全性を維持し回復する技術として,新しい研究段階に踏み出した.ここでは, Si結晶中の格子間Siと空孔の挙動を重視する立場から, Siウエハーのゲッタリングについて解説する.はじめに,ゲッタリングの対象である不純物,格子間Si, 空孔の熱的挙動を整理する.次に,ゲッタリングの手法と機構について述べた後,将来のゲッタリングについて考察する.
