東芝半導体事業本部半導体材料技術部
東芝セラミックス中央研究所
1991 年 60 巻 8 号 p. 790-793
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ウエハー直接接着技術とその応用について過去数年間の進展をまとめた.接着機構の解明が進み,強度が高くボイドがないなど,完全な接着ができることが示された.応用面ではエピ・拡散代替のSi/Si接着に加え,酸化膜介在接着により高品位で大面積のSOIウエハーが得られることが,実証され注目されている.今後はSOIが応用の主流となるとみられ,課題であるSOI層厚制御を中心として研究と開発が行われている.
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