Si結晶の酸素濃度制御と磁界技術
1991 年 60 巻 8 号 p. 808-812
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1991 年 60 巻 8 号 p. 808-812
LSIに用いるCZ-Si結晶育成技術において重要な課題となっている酸素濃度制御について,筆者らの研究を紹介する.酸素の混入機構解析結果およびこれを基に適用した回転磁界による融液の誘導回転効果,直流磁界による対流抑制効果を利用した酸素濃度制御の結果を示し,その制御機構を考察する.また,最近の研究であるカスプ磁界印加酸素濃度制御についても述べる.
