半球状グレインポリシリコンの形成機構

辰巳 徹; 酒井 朗; 五十嵐 多恵子; 渡辺 啓仁

doi:10.11470/oubutsu1932.61.1147

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

半球状グレインポリシリコンの形成機構

辰巳徹, 酒井朗, 五十嵐多恵子, 渡辺啓仁

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ジャーナルフリー

1992 年 61 巻 11 号 p. 1147-1151

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1147

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抄録

Si₂H₆ を用いた選択核付けHSGの形成について述べた. HSGの粒径は形成温度とポストアニール時間によって決まり,核付け中は粒数は増えるがHSG成長はほとんど起こらない. Si₂H₆照射をやめたとき,すべての核が同時にHSG成長を始めるため,粒径はきわめてよくそろっている.核付け中,HSG成長を妨げているものは,a-Si上に吸着した水素であると考えられる.

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