応用物理
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ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
藤安 洋石田 明広
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1992 年 61 巻 12 号 p. 1238-1245

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抄録

室温で動作可能な青色発光素子や赤外で発光可能な素子の開発は重要な課題である.これらの発光材料としては,ワイドギャップII-VI族半導体およびナローギャップIV-VI半導体がそれぞれ有望である.これらの開発においては,最近,急速に発展しつつある.量子井戸や超格子構造という超微構造の導入は興味深い.この構造は本来の物質そのものや対称性に変化をもたらすので,これを利用して新しい材料やデバイスを作製することは興昧深い.本解説ではこれらの超微構造の成膜技術としてのホットウオール法の特徴とその有用性および薄膜作製について解説する.さらに作製したデバイスの諸特性を示す.

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© 社団法人 応用物理学会
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