アモルファス半導体におけるキャリア増倍現象とその応用
1993 年 62 巻 10 号 p. 1002-1005
詳細
1993 年 62 巻 10 号 p. 1002-1005
アモルファス半導体においてはじめて確認されたa-Seのアバランシェ現象は,撮像デバイスの飛躍的な高感度化をもたらした,一方,最近a-Si:H系材料を用いた種々の試料においても光電流増倍現象が報告されている.本稿では,a-Seのアバランシェ現象によるキャリア増倍特性とその特徴を紹介し,アモルファス材料における特徴的キャリア輸送機構との関連を議論する.また,a-Si:H系材料における光電流増倍現象について,アバランシェ現象の可能性を中心に概観し,応用面も含めてアモルファス半導体におけるキャリア増倍現象を展望する.
