クラスター計算による欠陥の同定:Si系アモルファス薄膜中のダングリングボンド
1993 年 62 巻 10 号 p. 1006-1009
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1993 年 62 巻 10 号 p. 1006-1009
Si系アモルフアス薄膜中における欠陥の原子構造を明らかにするために,欠陥を含むモデルクラスターに対して,密度汎関数法を用いて超微細結合定数の計算を行った.計算結果と電子スピン共鳴測定による結果を比較することにより,水素化アモルファスSiにおけるSiダングリングボンド(3配位Si原子),水素化アモルフアスSi3N4におけるNダングリングボンド(2配位N原子)の存在を確認した.欠陥の構造を明らかにするうえで,この手法は,極めて有効である.
