応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
三次元形状シミュレーションアルゴリズムとその応用
藤永 正人小谷 教彦
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1993 年 62 巻 11 号 p. 1104-1110

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抄録

形状シミュレーションとは,半導体製造工程のうちの光リソグラフィー,エッチング,たい積,リフローなどにより形成される,シリコンより上の素子形状を計算するものである.現在のところ,他の半導体シミュレーションと比べて完成度は低いが,今後の発展が期待される.本稿は,最近のLSl素子の微細化に伴い,一層詳細な解析のために必要になってきた三次元モデルに焦点をあて,光リソグラフィーシミュレーションとたい積シミュレーションに関して解説する.

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© 社団法人 応用物理学会
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