分子線散乱法による表面反応過程の評価

シリコン上の塩素の反応過程

抄録

選択成長や高選択エッチングといったプロセスを開発していくためには,ウエハー表面で起こっている反応を解明し制御していくことが必要である.分子線散乱法は表面反応を調べるのに適した手法であり,活性化エネルギーなどプロセスを開発するうえで欠くことのできない情報を得ることが可能である.エピタキシーやエッチングなどで広く用いられている塩素のシリコン表面上での反応を取り上げ,吸着や脱離過程について検討する.