応用物理
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超高集積メモリーデバイス用強誘電体薄膜
塩嵜 忠
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1993 年 62 巻 12 号 p. 1212-1215

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抄録

強誘電体薄膜や高誘電率常誘電体薄膜の高い誘電率を256Mビット以降の超高集積DRAMの電荷蓄積用キャパシターに用いようとする研究とともに,強誘電体の自発分極の電界による反転とその保持機能を用いた強誘電体薄膜不揮発性集積メモリーの研究が注目を浴びている.これら強誘電体などの薄膜がこれらメモリーにおいていかに使われているかを述べ,材料,製法,特性につきこれまでの知見と問題点などについて述べる.

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© 社団法人 応用物理学会
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