応用物理
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アルミニウム膜の選択化学気相成長
坪内 和夫益 一哉
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1993 年 62 巻 12 号 p. 1225-1229

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抄録

本稿では,DMAH「(CH3)2AIH」とH2を用いた選択AICVD技術による単結晶AI選択成長,選択・非選択成長制御によるビアホール完全平坦化堆積,選択成長メカニズムとして筆者らの提案している「表面電気化学反応」モデル,さらに微細MOSFETの寄生抵抗低減への応用について述べる.選択AICVD技術は超LSIの配線形成技術のみならず,微細MOSFETのゲートやソース/ドレインの寄生抵抗の低減に有効であることを述べる.

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© 社団法人 応用物理学会
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