応用物理
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新しいCu-Al-(Se, S)化合物の分子線エピタキシャル成長と青色発光
盛田 芳雄
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1993 年 62 巻 2 号 p. 143-146

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抄録

半導体結晶のエピタキシャル成長技術として確立された分子線エピタキシー(MBE)成長技術が,種々の材料系の薄膜形成に適用されてきている.このMBE法をCu-Al-Se系に適用し,室温のフオトルミネッセンスで青色に光る新しいワイドギャップ半導体であるCu5AlSe4化合物を見いだした.さらに最近,Gu-Al-S系でもMBE成長実験を行い青色発光する薄膜を得ている.本稿では,これらの多元系薄膜について,MBE成長と結晶評価を行った結果について紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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