ファンデルワールス・エピタキシー
高格子不整合系のヘテロ成長
1993 年 62 巻 8 号 p. 758-769
詳細
1993 年 62 巻 8 号 p. 758-769
2種以上の物質の単結晶超薄膜を積層成長させるヘテロエピタキシャル成長手法は,人工超格子などナノ構造作成に欠かせない重要技術になりつつある.従来良好なヘテロ成長は,格子整合条件の制約により,ごく限られた物質間でのみ可能であったが,2種の物質がファンデルワールスカのみを介して結合する場合には,300%以上の格子不整合があっても良好なエピタキシャル成長が可能であることが実証された.これにより,絶縁物から半導体,金属さらには超伝導物質を含む各種層状物質,あるいはフラーレン,有機分子性結晶物質など,きわめて多種多様な物質を組み合わせたヘテロ構造作成の道が開かれた.
