東京大学先端科学技術研究センター
1993 年 62 巻 8 号 p. 792-800
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
間接遷移型半導体を用いた量子井戸や超格子の研究が注目を集めている.特に,その発光特性への関心が高く,従来の考えに反して,発光性材料としての可能性も十分あることが指摘され,有望なデータがいろいろと報告されている.本稿ではその代表例である,Si/GeおよびGaP/AlPを中心に,最近の研究状況を報告する.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら
