放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察-高エネルギーX線・高次反射の利用
1993 年 62 巻 8 号 p. 818-821
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1993 年 62 巻 8 号 p. 818-821
シンクロトロン放射光を用いた高エネルギー・高次反射X線トポグラフィーが,結晶中の格子ひずみに非常に敏感であることを示す.この方法をas-grown CZシリコン結晶中の微小欠陥評価に応用した.0.4mm/minの速度で引き上げられた結晶中には大きさが数百nm,密度が1×103/cm3程度の微小欠陥が観察された.1.4mm/minの速度で引き上げられた結晶については,個々の微小欠陥を識別して観察することはできなかったが,通常のラング法トポグラフィーでは検出できないような微弱な成長稿を強いコントラストで観察できた.
