一定光電流法によるアモルファスシリコンの欠陥光吸収の評価
1994 年 63 巻 10 号 p. 1003-1010
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1994 年 63 巻 10 号 p. 1003-1010
通常の透過分光法では測定できない微弱な半導体薄膜の欠陥光吸収を測定する簡便な方法に一定光電流法があり,特にアモルファスシリコン材料の欠陥密度や欠陥準位分布の評価法としてよく用いられている.この方法に関わるサブバンドギャップ光伝導の物理,スペクトルから得られる情報,またモデル計算より示される適用上の問題点などについて解説する.
