青山学院大学理工学部
1994 年 63 巻 10 号 p. 1017-1020
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ヘテロエピタキシャル成長は気相からのダイヤモンド成長に残された重要な課題である.近年,電子材料としてのダイヤモンドの優れた性質が明らかになるに従い,ヘテロエピタキシャル成長の重要性は広く認識されるに至った.しかし,現時点でヘテロエピタキシャル成長が可能な下地は,一部の限られた結晶のみであり実用的段階には至っていない.本報告ではこの現状について述べ,さらにダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長の条件について簡単にまとめる.
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