応用物理
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金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト
財満 鎭明安田 幸夫
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1093-1105

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抄録

シリコン大規模集積回路 (ULSI) の極微細化とともに,オーミックコンタクト抵抗やその信頼性が,デバイスの高性能化を制限しかねない状況に至っている.このため,金属/半導体界面の微視的な固相反応の理解と,新しい低抵抗コンタクト材料の開発が必要となっている.本報告では, Ti, Zr, Hfなどの高融点金属とシリコンの界面におけるシリサイド形成と電気的特性の関係を明らかにし,コンタクト抵抗率を支配している要因を界面反応,化学組成,結晶学的構造などの観点から議論する.

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© 社団法人 応用物理学会
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