高温水素アニール処理による次世代LSI用ウエハー
1994 年 63 巻 11 号 p. 1114-1117
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1114-1117
100%水素ガス雰囲気下で1200°Cの高温水素アニールにより,従来のCZシリコンウエハーで問題視されていたウエハー表面層の結晶欠陥を大幅に低減し,かつ十分なゲッタリング能力を持続するIG層をもつ理想的なDZ-IG (Denuded Zone-lntrinsic Gettering) ウエハーを実現した.特に,酸化膜耐圧特性は飛躍的に向上し,信頼性が増した.
