応用物理
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高流動性プラズマCVDによる薄膜形成
広瀬 全孝宮崎 誠一
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1118-1122

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抄録

プラズマCVDにおいて,基板を低温に冷却し,基板表面へ入射する中性活性種のフラックスに対して入射イオンフラックスを抑えると,表面でポリメリックな膜形成前駆体が形成される.この前駆体は,高い表面流動性を示すので,極微細トレンチの選択的埋め込みと平たん化が可能である.この高流動性CVD反応によって,フロー形状が実現できること;を,SiH4およびSiH4+O2,プラズマについて実証するとともに,表面反応のメ力ニズムについて議論している.

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© 社団法人 応用物理学会
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