応用物理
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ナノメーターリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果
吉村 俊之Edward W. SCHECKLER小川 太郎宿利 章二白石 洋
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1131-1134

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抄録

LSIの高集積化,高機能化とともに極微細加工が要求さ:れるが,パターンが100nm以下になると,レジストを構成する高分子の大きさが無視できなくなる.その顕著な例と1して,レジストパターン表面に現れる微小表面凹凸(ナノエッジラフネス)があげられる.これは素子特性劣化につながるパターン寸法揺らぎの要因となるため,その抑制がナノメーターリソグラフィーにおける重要な課題である.ナノエッジラフネスの低減には,高分子樹脂の選択と,高分子特性(平均分子量,多分散度)の制御が必要であり,これにより凹凸の小ざい10nmレベルのパターン形成が可能となった.また新たに開発した分子レベルの反応機構を取り入れたシミュレーションにより,実験結果の予測などが可能となった.

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© 社団法人 応用物理学会
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