応用物理
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パラレルビーム照射による電子線描画システム
高速化への一提案
安田 洋
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1135-1138

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抄録

電子ビーム露光技術は, 0.1 μm以下の微細パターンの形成ができるリソグラフィー手段であるが,従来の可変矩形ビームではスループットが低く,LSIの量産には使用できなかった.部分図形一括露光ではメモリーのセル部など繰り返しの多いパターンに対してのスループットは8インチ・ウエハーで20枚/時が可能であるが,ランダムなパターンに対しては著しく低下する. Blanking Aperture Array (BAA) を用いたマルチビームでは,0.08μm角の1024本のビームを10.24μm×3.84μmの領域に転写し,個々のビームを独立にON-OFFしつつ一方向に走査することで任意のパターンを発生する.本方式により電子ビームの微細加工性と操作性を損なうことのない, 8インチ・ウエハーで25枚/時の高スループットを有する,システムを提案した.

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© 社団法人 応用物理学会
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