応用物理
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キャパシターに用いる白金および高誘電率材料のエッチング技術
芝野 照夫西川 和康
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1139-1142

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抄録

高誘電率材料を用いたDRAM用キャパシターのエッチング技術として,電極であるPt膜および,高誘電率材料であるBa0.5Sra0.5Tio3膜 (BST膜),のドライエッチングについて述べる.ハロゲン化合物ガスによるエッチングでは, PtおよびBST膜のエッチング反応生成物の蒸気圧が低いために,スパッタリングが支配的なエッチングとなる.このため, Ptのエッチングにおいては,エッチングの反応生成物の再付着により,エッチングマスクであるフォトレジストパターンの側壁に,エッチング後除去困難な付着膜が形成される.また, BST膜のエッチングにおいては,エッチング下地となるシリコン酸化膜とのエッチング選択比の向上が課題である.

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