応用物理
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強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
石原 宏
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1994 年 63 巻 11 号 p. 1147-1150

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抄録

強誘電体薄膜を不揮発性のアナログメモリーとして用いたニューロデバイスに関する研究の現状を紹介する.まず,強誘電体薄膜に加える電圧を適当に選ぶと,使用中にデバイスの特性が徐々に変化する適応学習機能が実現できることを明らかにし,次に,この機能を有するニューロン回路の動作方式としてはパルス周波数変調方式が,またデバイス構造としてはSOI (絶縁物基板上のSi膜)構造が優れていることを示す.最後に,このデバイスの動作を確認するための基礎実験の現状について紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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