応用物理
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室温動作単一電子メモリーおよびトランジスタ
矢野 和男石井 智之橋本 孝司小林 孝村井 二三夫関 浩一
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1994 年 63 巻 12 号 p. 1248-1251

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抄録

室温において単一電子メモリーおよび単一電子トランジスタの動作に初めて成功した.これを可能にしたのは,3.4nmという超薄膜ポリシリコン中に自然に形成される,量子細線と量子ドットとを用いた点にある.このポリシリコンをチャネルとした薄膜トランジスタ構造では,ゲート電圧をしきい値近傍に設定すると単一電子トランジスタとして動作し,明確なクー日ン階段を示した.ゲート電圧をしきい値よりも大きく設定すると単一電子メモリーとして働き,量子化されたしぎい電圧の変化を示した.単一電子メモリーは従来のフラッシュメモリーの限界を突破する高速で不揮発なメモリーの可能性を秘めている.

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© 社団法人 応用物理学会
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