Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
1994 年 63 巻 12 号 p. 1252-1255
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1994 年 63 巻 12 号 p. 1252-1255
シリコンー酸化膜界面の平担化に対するひとつのアプローチとして, STMを用いてSi表面の酸化初期過程を調べた.その結果Si (001) 表面では酸化しやすい特定の表面欠陥(C欠陥)があること,600°Cでは完全に均一な酸化はしていないが,少なくとも第1層目はある程度均一に酸化することがわかった.また 600°Cでは局所的にオーダーした初期酸化物が観察された.さらに初期酸化物のエッチングについても報告する.
