応用物理
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二次高調波を用いた化合物半導体の表面の評価
山田 千樫
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1994 年 63 巻 12 号 p. 1256-1260

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抄録

レーザー光を用いた表面反射第二高調波発生法(表面反射SHG法)を反転対称性を示さない化合物半導体 (GaAs) 表面の評価に応用した.反転対称性(対称中心)のない結晶ではバルク自体が第二高調波を発生するため,表面の評価に SHG を使うことは困難とされてきた.われわれは強いバルクの寄与から表面の寄与を分離する方法を考案し,表面再構成の違いによる SHG の変化,水素原子による表面酸化膜除去過程,エピタキシャル成長時の SHG 変化を観測した.

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© 社団法人 応用物理学会
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