原子状水素によるGaAs表面酸化膜の除去機構
1994 年 63 巻 7 号 p. 704-708
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1994 年 63 巻 7 号 p. 704-708
低温かつ低損傷の表面清浄化技術として,原子状水素 (H・) によるGaAs表面酸化物の除去が注目されている.本報告ではその反応機構を,昇温脱離, X線光電子分光法,低速電子線回折,脱離種の実時間観測により調べた結果を紹介する. H・には,高温まで安定で除去しにくいGa2O3型酸化物を,低温で脱離するGa2O型酸化物に改質する作用のあること, As酸化物とGa酸化物の共存する自然酸化膜の場合には,まず, As酸化物がH・により還元されて, As分子として脱離除去され,次いでGa酸化物がGa2O型酸化物へと還元され,脱離することがわかった.このGa2O型酸化物の挙動が,酸化膜除去反応の全体像を理解するカギであることを示す.
