アモルファスシリコンの物性と形成パラメーターの相関
1995 年 64 巻 10 号 p. 1028-1031
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1995 年 64 巻 10 号 p. 1028-1031
アモルファスシリコン(a-Si)薄膜は通常,原料ガスのSiH4をプラズマによって分解するプラズマCVD法によP形成される. a-Siの物性(光吸収係数・禁制帯幅・導電率など)は数多くの形成パラメーターによって広範囲に制御できるが,どのようなパラメーターがa-Siの物陛と基本的に関係して、否のかは長年十分に理解されていなかった.a-Slめ形成から物性の測定・解析にわたり系統的な検討を行った結果,100%SiH4を原籾とした太陽電沖蓼どへの応用に車要な高品質(未結合手など9欠陥の少ない)a一Siの形成に用いられる条件範囲内では,物性が実は形成時の温度と成膜速度の2つのパラメーターのみでほぼ決定されていることが明らかになった.
