高温超伝導薄膜のエピタキシャル方位制御
1995 年 64 巻 11 号 p. 1097-1103
詳細
1995 年 64 巻 11 号 p. 1097-1103
高温超伝導体YBCOのエピタキシャル成長について,結晶成長機構の面からその複雑さを概説し,特に優先成長軸方位の制御について成長因子である酸素分圧と成長温度の重要性について述べた.そして,積層型SISトンネル接合形成に優位なa軸配向膜成長の新たな成長機構としてAtomic Gra-phoepitaxyを提唱,基板結晶材料が鍵であることを簡単に紹介した.
