ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成—電子デバイスへの適用をめざして—

抄録

ダイヤモンドは優れた電気的特性と物理,化学的性質をかねそなえた半導体材料として,次世代の電子デバイスへの応用が期待されている.特にCVD (Chemical Vapor Deposition)法により作製されるダイヤモンド薄膜は多様なデバイス構成に対応可能であり,将来の電子デバイス化の基礎をなすと考えられる.本稿では,電子デバイス化への応用を念頭に置き,ダイヤモンド(001)基板上にホモエピタキシャル成長を試みた結果について紹介する.さらに,最近得られた水素プラズマエッチングによる原子層レベルでの表面の平坦化について述べる.