カルコパイライト化合物CuGaS2の原子層エピタキシー ストイキオメトリー制御の可能性

飯田 誠之; 坪井 望; 角田 憲寿; 寺迫 智昭; 井須 敬博

doi:10.11470/oubutsu1932.64.137

カルコパイライト化合物CuGaS₂の原子層エピタキシー

ストイキオメトリー制御の可能性

飯田誠之, 坪井望, 角田憲寿, 寺迫智昭, 井須敬博

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ジャーナルフリー

1995 年 64 巻 2 号 p. 137-140

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.137

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抄録

金属塩化物(CuCl,GaOl₃)蒸気と硫化水素の交互供給下でのGaP基板上へのCuGaS₂層の成長で,各原料供給量および基板温度に対する成長速度の飽和を観測した.またストイキオメトリー制御につながるのではないかと思われるフォトルミネッセンスデータも得られた.実験結果は原子層エピタキシヤル成長が生じていることを示しているように見えるが,成長メ力ニズムなど検討すべき点も多い.これらのデータを説明するとともに,今後明らかにすべき問題点などについても触れた.

責任著者(Corresponding author)

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