応用物理
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低速イオン散乱分光法による化合物半導体結晶成長のその場観察
田村 誠男斉藤 徹
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1995 年 64 巻 5 号 p. 461-465

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抄録

同軸型直衝突低速イオン散乱分光装置を分子線結晶成長装置と一体化して,化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長のその場観察に適用した.入射イオン線の散乱強度の変化を, AIAs/GaAS(ミスフィツトf=0.14%), GaAs/lnP (f=4%), GaAs/Si(f=4%), GaAs/InAs(f=7%)の系の成長に対して成長層の厚さ,基板温度,熱処理温度および時間の関数として求めることにより,成長モード(二次元または三次元),成長層の原子と基板構成原子との置換,結晶性の変化,などが原子スケールで議論できることを紹介する.

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