SOI構造を用いた高温用高感度圧カセンサー
1995 年 64 巻 7 号 p. 700-704
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1995 年 64 巻 7 号 p. 700-704
エピタキシャルAI2O3絶縁層とSi層を各2回成長して構成されたダブルSOI構造の製作とその特性,およびこの構造を利用した高温用圧力センサーについて述べる.Si(100)基板上のγ-Al2O3層成長用のLP-CVDとSi成長用CVDは試料交換室を介して結合されている.このエピタキシャル多層構造は,RHEED, AESで分析し,断面TEMとエツチング法で欠陥の評価を行った.また各Si層上にMOS FETを試作し,移動度の評価を行った.ダブルSOI構造の2つのSi層の欠陥密度と移動度はほぼ同じ特性を示した.このダブルSOI構造の特徴を利用して,製作プロセスの簡略化と高感度化を実現し,300°Cまで動作する高温用圧力センサーを試作,評価した.
