光変調型エリプソメトリーを用いたIII-V化合物半導体の電子物性評価
1995 年 64 巻 7 号 p. 705-708
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1995 年 64 巻 7 号 p. 705-708
光変調型工リプソメトリーは,多層構造評価法として優れている分光エリプソメトリーに電界効果に敏感なフォトレスポンスを付加した方法である.この方法により,III-V化合物半導体の膜厚や組成のみならずバンドギャップ,表面フェルミ準位,内部電界強度,空乏層幅や臨界点エネルギーなどの半導体因子を非接触で評価できる.ここでは ,n型GaAs, δドープドGaAsおよびAlGaAs/GaAsヘテロ接合についてのわれわれの研究例を紹介する.
